四方达：CVD金刚石技术突破引爆AI散热炒作，多元化业务催化股价

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四方达（2026-02-26）炒作逻辑：基于德邦证券研报及公司公告，四方达批量制备12英寸CVD金刚石衬底，有望解决AI芯片散热瓶颈，叠加培育钻石价格趋稳及油气产品进口替代，引发市场炒作。

四方达：CVD金刚石技术突破引爆AI散热炒作，多元化业务催化股价

来源：专家复盘组时间：2026-02-26 16:13 关键词：四方达 300179 金刚石散热 CVD金刚石半导体材料培育钻石油气开采 AI芯片 6G通信

今日炒作逻辑
明日走势预判
明日操盘策略
炒作逻辑说明

四方达（2026-02-26）真正炒作逻辑：金刚石散热+半导体材料+培育钻石+油气装备

1、技术突破预期：公司已具备批量制备12英寸CVD金刚石衬底及薄膜能力，可用于AI芯片散热等高端半导体应用，市场预期其产业化加速。
2、行业需求催化：德邦证券研报指出金刚石超高热导率在AI芯片、6G通信、新能源汽车散热中的关键作用，叠加培育钻石价格跌幅放缓，行业景气度提升。
3、多元化业务支撑：公司在油气开采类产品打破进口垄断，同时自研MPCVD设备应用于珠宝消费领域，形成业务协同，增强炒作吸引力。

1、乐观情景：若市场情绪持续高涨，资金继续涌入半导体材料板块，股价可能高开高走，测试近期高点。
2、谨慎情景：由于今日炒作已反映部分利好，可能出现获利回吐压力，导致股价冲高回落或震荡整理，需关注成交量变化。
3、风险提示：整体市场环境或板块轮动可能影响个股走势，警惕短期过热回调风险。

1、持有观察：若股价放量上涨且站稳关键均线，可考虑持有或小幅加仓，但需设定止损位以控制风险。
2、逢高减仓：若股价大幅高开但缺乏持续买盘，可逢高部分减仓，锁定利润。
3、低吸机会：若股价回调至支撑位（如5日或10日均线）且企稳，可考虑分批低吸，博弈后续技术突破消息。
4、风险控制：避免追高，密切关注公司公告及行业动态，防范炒作退潮风险。

1、行业趋势驱动：金刚石作为超高热导材料，在AI、6G、新能源车散热领域市场前景广阔，研报支持产业化加速预期。
2、公司技术领先：公司已实现大尺寸CVD金刚石批量制备，应用于芯片热沉和半导体器件，技术壁垒高，具备先发优势。
3、价格因素利好：培育钻石批发价跌幅收窄，显示行业供需改善，利好相关公司盈利预期。
4、业务协同效应：公司在油气开采和珠宝消费领域的产品突破，分散风险并增强成长性，支撑整体估值。

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